Микросхемы российские

           

Электрическая схема




1,8 - свободные;
2 - коллектор транзистора VT1;
3 - база транзистора VT1;
4 - эмиттер транзистора VT1;
5 - эмиттер транзистора VT2;
6 - база транзистора VT2;
7 - коллектор транзистора VT2;





Электрические параметры




1 Разность напряжений эмиттер-база транзисторов
&nbsp &nbsp 159НТ1А-В
&nbsp &nbsp 159НТ1Г-Е
&nbsp
не более 3 мВ


не более 15 мВ
2 Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА 0,55...0,75 В
3 Обратный ток коллектор-база не более 200 нА
4 Обратный ток эмиттер-база не более 500 нА
5 Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В не более 20 нА
6 Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА
&nbsp &nbsp 159НТ1А,Г
&nbsp &nbsp 159НТ1Б,Д
&nbsp &nbsp 159НТ1В,Е
&nbsp
20...80
60...180
более 80
7 Емкость эмиттера на частоте 10 мГц не более 5 пФ
8 Емкость коллектора на частоте 10 мГц не более 4 пФ



Параметры интегральных микросхем 159 серии



//
 
Параметры интегральных микросхем 159 серии

НаименованиеКраткое описание
К159НТ1А-Е, КР159НТ1А-Е Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов


 Техническая 
 документация 
 Принципиальные 
 схемы 
 Программное 
 обеспечение 
 Литература   Новости 



Предельно допустимые режимы эксплуатации




1 Напряжение коллектор-база 20 В
2 Напряжение эмиттер-база 4 В
3 Напряжение между транзисторами 20 В
4 Ток коллектора постоянный 10 мА
5 Ток коллектора импульсный tи=30 мкс 40 мА
6 Рассеиваемая мощность 50 мВт